汽化器与汽化技术

在1990年代，当半导体行业需要TEOS稳定且连续的汽化供应系统时，LINTEC领先于世界，开发了使用汽化器和液体质量流量控制器的直接汽化方法。

液体汽化技术的基本原理

通常，物质分为固体、液体和气体三种状态，且根据温度和压力而变化。

温度式：MFC烘烤法、无载气汽化器
温度和压力式：汽化器直接汽化法、鼓泡法
压力式：低差圧MFC(MC-3000S)

蒸气压与汽化浓度

气体浓度计算公式为：分圧÷全圧×100＝气体浓度（%）

液化气的分压不能超过蒸气压曲线。

蒸汽压曲线

物质的状态取决于温度和压力。当温度高时，液体变成气体（汽化）的力（蒸气压）增加；当温度低时，蒸气压降低。蒸气压曲线表示温度和蒸气压的最大值。

気化技術ご紹介

汽化器直接汽化法

这是一种由液体质量流量计测量液相质量，并用汽化器蒸发总量的方法。该方法多应用于常用TEOS的CVD(化学气相沉积)工艺。

MFC烘烤法

这是一种加热液体并由耐高温气体质量流量控制器控制蒸发气体的方法。它用于光纤的制造过程。

鼓泡法

这是一种将载气通过液体容器，使汽化气体溶解在载气中的方法。它主要用于MOCVD(新型气相外延生长技术)。

LINTEC产品的液体汽化原料举例

元素	名称	简称	化学式	CAS No.
Al	三甲基铝	TMA	Al(CH3)3	75-24-1
	三乙基铝	TEA	Al(C2H5)3	97-93-8
	三异丙氧基铝	Al(MMP)3	Al[CH3OCH2C(CH3)2O]3	478695-89-5
	二甲基氢化铝	DMAH	H(CH3)2Al	885-37-2
	三丁氧基铝	ASBO	Al[OCH(CH3)CH2CH3]3	2269-22-9
B	三乙基硼酮	TEB	B(OC2H5)3	150-46-9
	三甲基硼酮	TMB	B(OCH3)3	121-43-7
	三二甲氨基硼酮	TMAB	B[N(CH3)2]3	4375-83-1
Ba	二齐吡酰甲酸钡	Ba(DPM)2	Ba(C11H19O2)2	17594-47-7
Bi	三甲基铋		Bi(CH3)3	593-91-9
Ce	四甲基肽二钠铈	Ce(DPM)4	Ce(C11H19O2)4	18960-54-8
Cl	四氯化碳		CCl4	56-23-5
	1，1，2-三氯乙烷		C2H3Cl3	79-00-5
	四氯乙烯		C2Cl4	127-18-4
Co	烷基酰胺酸钴	Co AMD
Cu	双齐吡酰甲酸铜	Cu(DPM)3	Cu(C11H19O2)2	14040-05-2
	六氟乙酰丙酮三甲基乙烯基硅烷基铜	Cu(hfac)(TMVS)	C10H13CuF6O2 Si	139566-53-3
	双乙基二甲基癸烷酸铜	Cu(EDMDD)2	Cu[(CH3)3CC(O)CHC(O)CH(C2H5)C4H9]
Ga	三乙基镓	TEG	(C2H5)3Ga	1115-99-7
	三甲基镓	TMG	(CH3)3Ga	1445-79-0
Ge	四乙氧基锗烷		Ge(OC2H5)4	14165-55-0
	四甲氧基锗烷		C4H12GeO4	992-91-6
Hf	四甲氨基铪	TDMAH	Hf[N(CH3)2]4	19782-68-4
	四乙基甲基氨基铪	TEMAH	Hf[N(C2H5)CH3]4	352535-01-4
	四乙基氨基铪	TDEAH	Hf[N(C2H5)2]4	19824-55-6
	四丁氧基铪	HTB	Hf(OtC4H9)4	2172-02-3
I	五氟化碘		IF5	7783-66-6
In	乙酰丙酮铟	In(acac)3	In(C5H7O2)3	14405-45-9
	三甲基铟	TMI	(CH3)3In	3385-78-2
	三乙基铟	TEI	In(C2H5)3	923-34-2
La	四甲基辛二酮镧	La(TMOD)3
Nb	五乙氧基铌	PEN	Nb(OCH2CH3)5	3236-82-6
Ni	氨基酸镍烷基酯	Ni AMD
P	三甲基膦	TMOP	PO(OCH3)3	512-56-1
	三乙基膦	TEPO	PO(OC2H5)3	78-40-0
	亚磷酸三甲酯	TMP	P(CH3O)3	121-45-9
Pb	甲酸双齐吡酰铅	Pb(DPM)2	Pb(C11H19O2)2	21319-43-7
	双四甲基庚二酸铅	Pb(thd)2
	四甲基辛二酮铅	Pb(TMOD)2
Pr	三乙基环戊二烯镨	Pr(EtCp)3	Pr(C5H4C2H5)3	108-88-3
	三四甲基庚二醛镨	Pr(DPM)3	Pr(C11H19O2)3	15492-48-5
Pt	三甲基甲基环戊二烯基铂		C9H16Pt	94442-22-5
Ru	双乙基环戊二烯基钌	Ru(EtCp)2	Ru(C2H5C5H4)2	32992-96-4
	二甲基戊二烯乙基环戊二烯基钌	DER	Ru(C7H9)(C7H11)	501652-75-1
Si	四乙氧基硅烷	TEOS	Si(OC2H5)4	78-10-4
	四氯化硅		SiCl4	10026-04-7
	三氯硅烷	TCS	SiHCl3	10025-78-2
	四甲氧基硅烷	TMOS	Si(OCH3)4	681-84-5
	六甲基二硅氮烷	HMDS	C6H19NSi2	999-97-3
	六甲基二硅氧烷	HMDSO	C6H18OSi2	107-46-0
	比斯特浅丁基氨基硅烷	BTBAS	[(CH3)3CNH]2SiH2	186598-40-3
	二异丁基二甲氧基硅烷	DIBDMS	C10H24O2Si	17980-32-4
	四甲基硅烷	TMS	Si(CH3)4	75-76-3
	甲基二乙氧基硅烷	DEMS	C5H14O2Si	2031-62-1
	三甲基硅烷		C3H10Si	993-07-7
	甲基三氯硅烷		CH3Cl3Si	75-79-6
	八甲基环四硅氧烷	OMCTS、D4	C8H24O4Si4	556-67-2
	四甲基环四硅氧烷	TMCTS	C4H16O4Si4	2370-88-9
	三二甲氨基硅烷	TDMAS	SiH[N(CH3)2]3	15112-89-7
	四甲基二硅氮烷	TMDS	C4H15NSi2	15933-59-2
	三甲氧基硅烷		C3H10O3Si	2487-90-3
	四甲基四乙烯基环四硅氧烷		[(CH2=CH)(CH3)SiO]4	2554-06-5
	二甲氧基甲基乙烯基硅烷	VMDS	C5H12O2Si	16753-62-1
	二甲基二乙氧基硅烷	DMDES	(CH3)2Si(OC2H5)2	78-62-6
	二甲基苯基硅烷	DMPS	C8H12Si	766-77-8
	甲基三甲氧基硅烷		(CH3)Si(OCH3)3	1185-55-3
	十七氟癸基三异丙氧基硅烷		C13H13F17O3Si	83048-65-1
	辛基三乙氧基硅烷		C14H32O3Si	2943-75-1
Sn	四氯化锡		SnCl4	7646-78-8
	四丁基锡		[CH3(CH2)3]4Sn	1461-25-2
	亚二乙酰丙酮二丁基锡		Sn(C9H16O2)2	22673-19-4
Sr	双齐吡酰甲酸锶	Sr(DPM)2	Sr(C10H10F7O2)2	36885-30-0
	甲氧基乙氧基四甲基庚二酸锶			280572-89-6
Ta	五乙氧基钽	PET	Ta(OC2H5)5	6074-84-6
	三（乙基甲基氨基）钽	TBTEMT	Ta(NtC4H9)[N(C2H5)CH3]3	511292-99-2
	塔莎肋苣苔二乙氨基钽	TBTDET	T-BuN=Ta(NEt2)3	169896-41-7
	三叶苣苔二甲氨基钽	Taimata	Ta[NC(CH3)2C2H5][N(CH3)2]3	440081-38-9
	五（二甲氨基）钽(V)	PDMAT	C10H30N5Ta
Ti	四氯化钛		TiCl4	7550-45-0
	四异丙氧基钛	TTIP	Ti(i-OC3H7)4	546-68-9
	四基二乙氨基钛	TDEAT	Ti[N(C2H5)2]4	4419-47-0
	四乙基甲氨基钛	TEMAT	Ti[N(CH3)C2H5]4	308103-54-0
	四甲氨基钛	TDMAT	Ti[N(CH3)2]4	3275-24-9
	二异丙氧基二酰甲酸钛酯	Ti(iPrO)2(DPM)2	Ti(C11H19O2)2(O-i-C3H7)2	144665-26-9
	四甲氧基甲基丙氧基钛	Ti(MMP)4
V	氯化钒		VCl4	7632-51-1
	四乙基甲氨基钒	V(NEtMe)4
Y	三齐戊酰甲基钇	Y(DPM)3	Y(C11H19O2)3	15632-39-0
Zn	二乙基锌	DEZ	(C2H5)2Zn	557-20-0
	双辛二酸锌	Zn(OD)2	[CH3COCHCO(CH2)3CH3]2Zn
Zr	四乙基甲氨基锆	TEMAZ	Zr[N(CH3)CH2CH3]4	175923-04-3
	四乙氨基锆	TDEAZ	Zr[N(C2H5)2]4	13801-49-5
	四特沙肋氧基锆	Zr(t-Obu)4	Zr[OC(CH3)]4	2081-12-1
	三二甲氨基环戊二烯基锆		(C5H5)Zr[N(CH3)2]3	33271-88-4
	四基二甲基庚己酸锆	Zr(dmhd)4	Zr(C18H30O4)2	69990-43-8
	四甲基庚己酸锆	Zr(DPM)4	Zr(C11H19O2)4	18865-74-2
	四甲基辛二酮锆	Zr(TMOD)4
	四甲氧基甲基丙氧基锆	Zr(MMP)4